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20N60 – 600V, 20A, N-Channel MOSFET ( Fqpf20n60c )
20N60 est un MOSFET de puissance en mode d’amélioration du canal N utilisant la technologie avancée d’UTC pour fournir aux clients la bande planaire et la technologie DMOS. Cette technologie est spécialisée pour permettre une résistance minimale à l’état passant et des performances de commutation supérieures. Il peut également supporter des impulsions à haute énergie en mode avalanche et commutation.
240.00 د.ج -
2N2907A Transistors bipolaires , TO-92, 60V, 600mA, PNP
2N2907A Transistors bipolaires – BJT Bipolar Transistor, TO-92, 60V, 600mA, PNP
35.00 د.ج -
2N3904 Transistors bipolaires , TO-92, 40V, 200mA, NPN
2N3904 Transistors bipolaires – BJT Bipolar Transistor, TO-92, 40V, 200mA, NPN
30.00 د.ج -
2N3906 Transistors bipolaires , TO-92, 40V, 200mA, PNP
2N3906 Transistors bipolaires – BJT Bipolar Transistor, TO-92, 40V, 200mA, PNP
30.00 د.ج -
2N4401 Transistors bipolaires , TO-92, 40V, 600mA, NPN
2N4401 Transistors bipolaires – BJT Bipolar Transistor, TO-92, 40V, 600mA, NPN
35.00 د.ج -
2N4403 Transistors bipolaires , TO-92, 40V, 600mA, PNP
Transistors bipolaires – BJT Bipolar Transistor, TO-92, 40V, 600mA, PNP
30.00 د.ج -
2N5401 Transistors bipolaires , TO-92, 150V, 600mA, PNP
Transistors bipolaires – BJT Bipolar Transistor, TO-92, 150V, 600mA, PNP
30.00 د.ج -
2N5551 Transistors bipolaires , TO-92, 160V, 600mA, NPN
2N5551 Transistors bipolaires – BJT Bipolar Transistor, TO-92, 160V, 600mA, NPN30.00 د.ج -
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2SC3998 Transistor bipolaire – NPN –
Transistor: NPN; bipolaire; 1,5kV; 25A; 250W; SOT93
350.00 د.ج2SC3998 Transistor bipolaire – NPN –
350.00 د.ج -
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2SK3561 – 500V, 8A, N-Channel MOSFET
Le 2SK3561 est un MOSFET à canal N (Metal-Oxyde-Semiconductor Field-Effect Transistor). Les MOSFET sont utilisés comme commutateurs électroniques et résistances commandées en tension dans une variété d’applications, y compris les alimentations, les commandes de moteur et les amplificateurs de puissance à découpage.
Le 2SK3561 est conçu pour les applications de commutation haute puissance et haute fréquence, où sa vitesse de commutation rapide et sa faible résistance à l’état passant le rendent bien adapté aux systèmes de conversion de puissance à haut rendement.
190.00 د.ج2SK3561 – 500V, 8A, N-Channel MOSFET
190.00 د.ج -
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