2SD882 – Transistor bipolaire – NPN – 30V – 3A

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Description

  • Type de transistor: NPN
  • Tension collecteur-émetteur maximum: 30 V
  • Tension collecteur-base maximum: 40 V
  • Tension émetteur-base maximum: 5 V
  • Courant collecteur continu maximum: 3 A
  • Dissipation de puissance maximum: 10 W
  • Gain de courant (hfe): 60 à 400
  • Fréquence de transition minimum: 90 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: TO-126

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2SD882 - Transistor bipolaire - NPN - 30V - 3A

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