Description
- Type de transistor: NPN
- Tension collecteur-émetteur maximum: 30 V
- Tension collecteur-base maximum: 40 V
- Tension émetteur-base maximum: 5 V
- Courant collecteur continu maximum: 3 A
- Dissipation de puissance maximum: 10 W
- Gain de courant (hfe): 60 à 400
- Fréquence de transition minimum: 90 MHz
- Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
- Boîtier: TO-126