20N60 est un MOSFET de puissance en mode d’amélioration du canal N utilisant la technologie avancée d’UTC pour fournir aux clients la bande planaire et la technologie DMOS. Cette technologie est spécialisée pour permettre une résistance minimale à l’état passant et des performances de commutation supérieures. Il peut également supporter des impulsions à haute énergie en mode avalanche et commutation.

2N2907A Transistors bipolaires – BJT Bipolar Transistor, TO-92, 60V, 600mA, PNP

Transistors bipolaires – BJT Bipolar Transistor, TO-92, 150V, 600mA, PNP