2SA1015 – Transistor bipolaire PNP (BJT)

• Nom : 2SA1015

• Type : Transistor bipolaire PNP (BJT)

• Boîtier : TO-92 (traversant / type DIP)

• Utilisation principale : Amplification et commutation de petits signaux (audio, faible puissance)

Spécifications électriques :

Tensions :

• Vceo (Collecteur-Émetteur) : −50 V max

• Vcbo (Collecteur-Base) : −60 V max

• Vebo (Émetteur-Base) : −5 V max

Courant :

• Ic (Courant collecteur max) : −150 mA

Puissance :

• Puissance dissipée (Pd) : 400 mW max

Gain en courant (hFE / β) :

• Typique : 70 à 400

• Classes : GR / BL / Y (selon le gain)

Fréquence de transition (fT) :

• Environ 80 à 120 MHz

Température de fonctionnement :

• −55°C à +150°C

Brochage (vue face plate, pattes vers le bas) :

1. Émetteur (E)

2. Collecteur (C)

3. Base (B)

Applications :

• Préamplificateurs audio

• Étages d’amplification faible signal

• Circuits RF légers

• Commutation basse puissance

• Radios, TV, cartes électroniques générales