BD131 transistor bipolaire – NPN

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Description

  • Type de transistor: NPN
  • Tension collecteur-émetteur maximum: 45 V
  • Tension collecteur-base maximum: 70 V
  • Tension émetteur-base maximum: 6 V
  • Courant collecteur continu maximum: 3 A
  • Dissipation de puissance maximum: 15 W
  • Gain de courant (hfe): 20
  • Fréquence de transition minimum: 60 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
  • Boîtier: TO-126

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BD131 transistor bipolaire - NPN

150.00 د.ج

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