BD135 transistor bipolaire – NPN

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Description

  • Style de montage: Through Hole
  • Polarité du transistor: NPN
  • Collecteur – Tension de l’émetteur VCEO max.: 45 V
  • Collecteur – Tension de base VCBO: 45 V
  • Émetteur – Tension de base VEBO: 5 V
  • Tension de saturation collecteur-émetteur : 500 mV
  • Courant CC max. du collecteur: 1.5 A
  • Pd – Dissipation d’énergie : 12.5 W
  • Produit gain-bande passante fT :
  • Température de fonctionnement min.:
  • Température de fonctionnement max.: + 150 C
  • Courant de collecteur continu : 1.5 A
  • Collecteur de courant continu/Gain hfe min de base: 25
  • Gain de courant CC hFE max.: 250
  • Hauteur: 10.8 mm
  • Longueur: 7.8 mm
  • Type de produit: BJTs – Bipolar Transistors
  • Sous-catégorie: Transistors
  • Largeur: 2.7 mm
  • Poids de l”unité: 60 mg

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BD135 transistor bipolaire – NPN

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