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Description
- Style de montage: Through Hole
- Polarité du transistor: NPN
- Collecteur – Tension de l’émetteur VCEO max.: 45 V
- Collecteur – Tension de base VCBO: 45 V
- Émetteur – Tension de base VEBO: 5 V
- Tension de saturation collecteur-émetteur : 500 mV
- Courant CC max. du collecteur: 1.5 A
- Pd – Dissipation d’énergie : 12.5 W
- Produit gain-bande passante fT : –
- Température de fonctionnement min.: –
- Température de fonctionnement max.: + 150 C
- Courant de collecteur continu : 1.5 A
- Collecteur de courant continu/Gain hfe min de base: 25
- Gain de courant CC hFE max.: 250
- Hauteur: 10.8 mm
- Longueur: 7.8 mm
- Type de produit: BJTs – Bipolar Transistors
- Sous-catégorie: Transistors
- Largeur: 2.7 mm
- Poids de l”unité: 60 mg
