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Description
Type de transistor: PNP
Tension collecteur-émetteur maximum: -60 V
Tension collecteur-base maximum: -60 V
Tension émetteur-base maximum: -5 V
Courant collecteur continu maximum: -1.5 A
Dissipation de puissance maximum: 12.5 W
Gain de courant (hfe): 40 à 250
Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
Boîtier: TO-126
