Sous-total : 30.00 د.ج
Description
offre des performances de conduction et de commutation supérieures, une robustesse élevée contre les avalanches et un fonctionnement en parallèle facile. Ce dispositif est bien adapté à l’application de commutation résonnante ou douce telle que le chauffage par induction, le four à micro-ondes.
Caractéristiques:-
• Technologie de tranchée NPT, coefficient de température positif
• Basse tension de saturation : VCE(sat), typ = 2,0 V @ IC = 25 A et TC = 25 C
• Faible perte de commutation : Eoff, typ = 0,96 mJ @ IC = 25 A et TC = 25 C
• Capacité d’avalanche extrêmement améliorée
Applications:-
• Chauffage par induction
• Four micro-onde
Caractéristiques:-
| Symbole | Description | Notes | Unités |
| VCES | Tension collecteur-émetteur | 1200 | V |
| VGE | Tension porte-émetteur | ±20 | V |
| CI | Courant de collecteur @ TC = 25°C | 50 | UN |
| Courant de collecteur @ TC = 100°C | 25 | UN | |
| MIC | Courant de collecteur pulsé | 90 | UN |
| SI | Diode Courant direct continu @ TC = 25°C | 50 | UN |
| Diode Courant direct continu @ TC = 100°C | 25 | UN | |
| IFM | Courant direct maximal de la diode | 150 | UN |
| DP | Dissipation de puissance maximale @ TC = 25°C | 312 | O |
| Dissipation de puissance maximale @ TC = 100°C | 125 | O | |
| TJ | Température de jonction de fonctionnement | -55 à +150 | °C |
| Tstg | Plage de température de stockage | 55 à +150 | °C |
| TL | Temp. max. à des fins de soudure, 1/8″ du boîtier pendant 5 secondes | 300 | °C |


