FQD50N06 – Transistor MOSFET canal N , 50A, 60V, TO-252

• Type : MOSFET à canal N.
• Tension drain-source (VDS max) : 60V.
• Courant de drain (ID max) : 50A.
• Résistance à l’état passant (RDS(on)) : 0,022 ohm typique.
• Applications : Convient pour les circuits de commutation, alimentations à découpage et applications de commande moteur.
• Boîtier : TO-252 (DPAK).

Ce composant est idéal pour des applications nécessitant une haute efficacité énergétique et une faible dissipation de chaleur.