FQP50N06 – Transistor MOSFET N Canal

• Référence : FQP50N06
• Type : MOSFET Canal N
• Boîtier : TO-220
• Tension Drain-Source (Vds) : 60 V
• Courant Drain Continu (Id) : 52 A
• Résistance à l’état passant (Rds(on)) : 0.022 Ω
• Tension de seuil (Vgs(th)) : 2 – 4 V
• Puissance dissipée maximale (Pd) : 110 W
• Commande logique : Oui (niveau TTL compatible)

Applications :

• Contrôle de moteurs et relais
• Circuits de puissance

• Conception d’onduleurs et de convertisseurs DC-DC