2SA1015 – Transistor bipolaire PNP (BJT)

Nom : 2SA1015

Type : Transistor bipolaire PNP (BJT)

Boîtier : TO-92 (traversant / type DIP)

Utilisation principale : Amplification et commutation de petits signaux (audio, faible puissance)

Spécifications électriques :
Tensions :

Vceo (Collecteur-Émetteur) : −50 V max

Vcbo (Collecteur-Base) : −60 V max

Vebo (Émetteur-Base) : −5 V max

Courant :

Ic (Courant collecteur max) : −150 mA

Puissance :

Puissance dissipée (Pd) : 400 mW max

Gain en courant (hFE / β) :

Typique : 70 à 400

Classes : GR / BL / Y (selon le gain)

Fréquence de transition (fT) :

Environ 80 à 120 MHz

Température de fonctionnement :

−55°C à +150°C

Brochage (vue face plate, pattes vers le bas) :

Émetteur (E)

Collecteur (C)

Base (B)

Applications :

Préamplificateurs audio

Étages d’amplification faible signal

Circuits RF légers

Commutation basse puissance

Radios, TV, cartes électroniques générales