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BC560C Transistors bipolaires , BJT , 100mA , 50V , PNP
35.00 د.ج
Transistors bipolaires – BJT 100mA 50V PNP
Description
Catégorie du produit: Transistors bipolaires – BJT
Style de montage: Through Hole
Package/Boîte: TO-92-3
Polarité du transistor: PNP
Configuration: Single
Collecteur – Tension de l’émetteur VCEO max.: 45 V
Collecteur – Tension de base VCBO: 50 V
Émetteur – Tension de base VEBO: 5 V
Tension de saturation collecteur-émetteur : 250 mV
Courant CC max. du collecteur: 100 mA
Pd – Dissipation d’énergie : 625 mW
Produit gain-bande passante fT : 250 MHz
Température de fonctionnement min.: – 55 C
Température de fonctionnement max.: + 150 C
Courant de collecteur continu : – 0.1 A
Collecteur de courant continu/Gain hfe min de base: 380
Gain de courant CC hFE max.: 800