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2SK3561 – 500V, 8A, N-Channel MOSFET
190.00 د.ج
Le 2SK3561 est un MOSFET à canal N (Metal-Oxyde-Semiconductor Field-Effect Transistor). Les MOSFET sont utilisés comme commutateurs électroniques et résistances commandées en tension dans une variété d’applications, y compris les alimentations, les commandes de moteur et les amplificateurs de puissance à découpage.
Le 2SK3561 est conçu pour les applications de commutation haute puissance et haute fréquence, où sa vitesse de commutation rapide et sa faible résistance à l’état passant le rendent bien adapté aux systèmes de conversion de puissance à haut rendement.
Description
- Désignation: 2SK3561
- Type de Transistor: MOSFET
- Type de Canal de contrôle: N -Channel
- Dissipation de puissance maximale (Pd): 40 W
- Tension maximale de drain-source |Vds|: 500 V
- Tension maximum de grille-source |Vgs|: 30 V
- Courant Maximum Drain |Id|: 8 A
- Température Maximum Jonction (Tj): 150 °C
- Gate Charge Total (Qg): 28 nC
- Temps de montée(tr): 26 nS
- Capacité Drain-Source: (Cd): 110 pF
- Package: TO-220
