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2N5551 Transistors bipolaires , TO-92, 160V, 600mA, NPN
30.00 د.ج
2N5551 Transistors bipolaires – BJT Bipolar Transistor, TO-92, 160V, 600mA, NPN
Description
Catégorie du produit: Transistors bipolaires – BJT
Style de montage: Through Hole
Package/Boîte: TO-92-2
Polarité du transistor: NPN
Configuration: Single
Collecteur – Tension de l’émetteur VCEO max.: 160 V
Collecteur – Tension de base VCBO: 180 V
Émetteur – Tension de base VEBO: 6 V
Tension de saturation collecteur-émetteur : 200 mV
Courant CC max. du collecteur: 600 mA
Pd – Dissipation d’énergie : 625 mW
Produit gain-bande passante fT : 100 MHz
Température de fonctionnement min.: – 55 C
Température de fonctionnement max.: + 150 C
Gain de courant CC hFE max.: 80