Description

offre des performances de conduction et de commutation supérieures, une robustesse élevée contre les avalanches et un fonctionnement en parallèle facile. Ce dispositif est bien adapté à l’application de commutation résonnante ou douce telle que le chauffage par induction, le four à micro-ondes.

Caractéristiques:-

• Technologie de tranchée NPT, coefficient de température positif

• Basse tension de saturation : VCE(sat), typ = 2,0 V @ IC = 25 A et TC = 25 C

• Faible perte de commutation : Eoff, typ = 0,96 mJ @ IC = 25 A et TC = 25 C

• Capacité d’avalanche extrêmement améliorée

Applications:-

• Chauffage par induction

• Four micro-onde

Caractéristiques:-

Symbole	Description	Notes	Unités
VCES	Tension collecteur-émetteur	1200	V
VGE	Tension porte-émetteur	±20	V
CI	Courant de collecteur @ TC = 25°C	50	UN
CI	Courant de collecteur @ TC = 100°C	25	UN
MIC	Courant de collecteur pulsé	90	UN
SI	Diode Courant direct continu @ TC = 25°C	50	UN
SI	Diode Courant direct continu @ TC = 100°C	25	UN
IFM	Courant direct maximal de la diode	150	UN
DP	Dissipation de puissance maximale @ TC = 25°C	312	O
	Dissipation de puissance maximale @ TC = 100°C	125	O
TJ	Température de jonction de fonctionnement	-55 à +150	°C
Tstg	Plage de température de stockage	55 à +150	°C
TL	Temp. max. à des fins de soudure, 1/8″ du boîtier pendant 5 secondes	300	°C