FGA25N120ANTD – 1200V , 25A , IGBT, Transistor +DIODE

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Description

offre des performances de conduction et de commutation supérieures, une robustesse élevée contre les avalanches et un fonctionnement en parallèle facile. Ce dispositif  est bien adapté à l’application de commutation résonnante ou douce telle que le chauffage par induction, le four à micro-ondes.

Caractéristiques:-

• Technologie de tranchée NPT, coefficient de température positif

• Basse tension de saturation : VCE(sat), typ = 2,0 V @ IC = 25 A et TC = 25 C

• Faible perte de commutation : Eoff, typ = 0,96 mJ @ IC = 25 A et TC = 25 C

• Capacité d’avalanche extrêmement améliorée

Applications:-

• Chauffage par induction

• Four micro-onde

Caractéristiques:-

Symbole Description Notes Unités
VCES Tension collecteur-émetteur 1200 V
VGE Tension porte-émetteur ±20 V
CI Courant de collecteur @ TC = 25°C 50 UN
Courant de collecteur @ TC = 100°C 25 UN
MIC Courant de collecteur pulsé 90 UN
SI Diode Courant direct continu @ TC = 25°C 50 UN
Diode Courant direct continu @ TC = 100°C 25 UN
IFM Courant direct maximal de la diode 150 UN
DP Dissipation de puissance maximale @ TC = 25°C 312 O
Dissipation de puissance maximale @ TC = 100°C 125 O
TJ Température de jonction de fonctionnement -55 à +150 °C
Tstg Plage de température de stockage 55 à +150 °C
TL Temp. max. à des fins de soudure, 1/8″ du boîtier pendant 5 secondes 300 °C

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FGA25N120ANTD – 1200V , 25A , IGBT, Transistor +DIODE

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