FQP30N06 – Transistor MOSFET N Canal

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Description

  • Référence : FQP30N06
  • Type : MOSFET Canal N
  • Boîtier : TO-220
  • Tension Drain-Source (Vds) : 60 V
  • Courant Drain Continu (Id) : 30 A
  • Résistance à l’état passant (Rds(on)) : 0.035 Ω
  • Tension de seuil (Vgs(th)) : 2 – 4 V
  • Puissance dissipée maximale (Pd) : 69 W
  • Commande logique : Oui (niveau TTL compatible)

Applications :

  • Commande de moteurs DC

  • Alimentation à découpage

  • Commandes de charges à haute intensité

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FQP30N06 – Transistor MOSFET N Canal

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