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Description
- Désignateur de type : IRFD120
- Type de transistor : MOSFET
- Type de canal de commande : canal N
- Pdⓘ – Dissipation de puissance maximale : 1,3 W
- |Vds|ⓘ – Tension drain-source maximale : 100 V
- |Vgs|ⓘ – Tension grille-source maximale : 20 V
- |Vgs(th)| ⓘ – Tension seuil grille maximale : 4 V
- |Id|ⓘ – Courant drain maximal : 1,3 A
- Tjⓘ – Température de jonction maximale : 175 °C
- Qgⓘ – Charge totale de grille : 16(max) nC
- trⓘ – Temps de montée : 27 nS
- Cossⓘ – Capacité de sortie : 150 pF
- Rdsⓘ – Résistance drain-source maximale à l’état passant : 0,27 Ohm
- Paquet : HD-1
