IRFD9110 (MOSFET P‑Channel 100 V, 0,7 A, DIP‑4)

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Description

Le IRFD9110 est un transistor MOSFET P‑Channel à enrichissement, destiné à des applications à courant faible et tension modérée. Il est logé dans un boîtier HVMDIP à 4 pattes (empilable), compatible insertion automatique, idéal pour les prototypes ou circuits simples mouser.com+1DigiKey+1.


⚙️ Caractéristiques principales

  • Tension drain-source (V_DS) : –100 V

  • Courant continu Id à 25 °C : –0,70 A ; à 100 °C : –0,49 A

  • R_DS(on) : 1,2 Ω à V_GS = –10 V (typique à –420 mA)

  • Capacité de grille Q_g : ~8,7 nC à V_GS = –10 V ; Q_gs ≈ 2,2 nC ; Q_gd ≈ 4,1 nC

  • Capacité d’entrée C_iss : ~200 pF @ V_DS = 25 V

  • Courant de seuil V_GS(th) : ~–4 V @ I_D = –250 µA

  • Dissipation de puissance : ~1,3 W en conditions ambiantes (montage PCB standard)

  • Plage de température : –55 °C à +175 °C (jonction)


🧩 Boîtier & brochage

  • Boîtier : HVMDIP‑4 (High Voltage Machine‑Insertable DIP)

  • Dual drain large pour meilleure dissipation thermique ; empilable sur pins 0,1″ (2,54 mm)

  • Brochage :

 P‑Channel MOSFET HVMDIP‑4
__________
|      D      |
G |              | D
|      S      |
———
  • Gate, Source, Drain selon référence du datasheet.


📌 Avantages & points d’usage

  • Pilotage faible en courant (peu de charge de grille) adapté commandes logiques

  • Tension de blocage élevée (100 V) pour applications médium-power

  • Bonnes performances en commutation rapide (60–80 ns typiques)

  • Robustesse avalanche répétitive — adapté à certaines applications à commutation inductive accidentelle

  • Bonne stabilité thermique (opération jusqu’à 175 °C)

  • Format simple à insérer sur breadboard ou PCB via DIP standard


📋 Applications typiques

  • Régulateurs linéaires (source de tension négative), alimentation symétrique

  • Pilote de relais à courant faible

  • Circuits de protection USB ou interface CC/CV négative

  • Compensation dans alimentations à découpage

  • Beepers/pièces de test ou prototypes utilisant configuration DIP


📊 Tableau récapitulatif

AttributValeur typique
V_DS max–100 V
I_D continuo–0,70 A (Ta=25 °C), –0,49 A (Ta=100 °C)
R_DS(on)1,2 Ω @ V_GS = –10 V, I_D ≈ –420 mA
Seuil V_GS(th)~–4 V @ –250 µA
Q_g8,7 nC (total), Q_gs ≈2,2 nC, Q_gd ≈4,1 nC
C_iss~200 pF @ 25 V
Dissipation max~1,3 W
Température jonction–55 °C à +175 °C
BoîtierHVMDIP‑4 (through-hole

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