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Description
Caractéristiques principales :
- Type : MOSFET canal N
- Tension drain-source maximale (Vds) : 55V
- Courant drain continu (Id) : 31A (à 25°C)
- Résistance à l’état passant (Rds(on)) : 44 mΩ (typique pour Vgs = 10V)
- Tension de seuil (Vgs(th)) : 1.0V – 2.0V
- Puissance dissipée maximale (Pd) : jusqu’à 94W
- Plage de fréquence : Optimisé pour les applications inférieures à 100 kHz
- Boîtier : D-Pak pour montage en surface.
Applications typiques :
- Conception d’alimentations à découpage (SMPS).
- Commande de moteurs en courant continu (CC).
- Applications sur batteries et commutateurs de charge.
- Systèmes d’éclairage basse consommation.
Avantages :
- Large zone d’opération sûre (SOA).
- Haute robustesse et dissipation thermique efficace.
- Conforme aux standards industriels, ce qui permet une intégration et un remplacement faciles.
