IRLR7843 – MOSFET Canal N

Caractéristiques :

• Courant Drain-Source Continu (Id) : Jusqu’à 50A à 25°C.
• Tension Drain-Source Maximale (Vds) : 30V.
• Type de Boîtier : DPAK.

Avantages :

• Faible résistance à l’état passant (Rds(on)), réduisant les pertes énergétiques.
• Haute vitesse de commutation.
• Idéal pour les circuits nécessitant un MOSFET compact et efficace.

Applications :

• Commande de moteurs.
• Convertisseurs DC-DC.
• Circuits de commutation pour batteries.