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Description
- Type de transistor: NPN
- Tension collecteur-émetteur maximum: 100 V
- Tension collecteur-base maximum: 100 V
- Tension émetteur-base maximum: 5 V
- Courant collecteur continu maximum: 5 A
- Dissipation de puissance maximum: 65 W
- Gain de courant (hfe): 1000
- Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
- Boîtier: TO-220
