Transistor IGBT STGD18N40LZT4 – 18A, 400V

Le STGD18N40LZT4 est un transistor IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) haute performance conçu pour offrir une commutation rapide et une faible dissipation thermique. Idéal pour les applications nécessitant une efficacité énergétique et une fiabilité élevée, il est largement utilisé dans les systèmes industriels, les applications d’éclairage et les convertisseurs de puissance.

Caractéristiques Techniques :

• Tension Collecteur-Émetteur Maximale (Vces) : 400V
• Courant Collecteur Continu (Ic) : 18A (à 100°C)
• Puissance Dissipée Maximale (Pd) : 55W
• Fréquence de Commutation Élevée : Optimisé pour les applications nécessitant des taux de commutation rapides.
• Tension de Seuil de Grille (Vge(th)) : 5V – 6V
• Boîtier Compact : Format DPAK pour une meilleure gestion thermique et une intégration facile.

Avantages :

• Efficacité énergétique élevée : Faibles pertes lors de la commutation.
• Faible saturation : Réduit les pertes thermiques, prolongeant la durée de vie du dispositif.
• Commutation rapide : Parfait pour les systèmes à fréquence moyenne ou élevée.
• Conception robuste : Assure une fiabilité dans des environnements industriels exigeants.

Applications :

• Commande de moteurs électriques.
• Lampes LED et éclairage à haute efficacité.
• Convertisseurs d’énergie (par exemple, onduleurs solaires).
• Circuits de contrôle PWM (modulation de largeur d’impulsion).