Sous-total : 200.00 د.ج
Description
- Type de transistor: NPN
- Tension collecteur-émetteur maximum: 120 V
- Tension collecteur-base maximum: 120 V
- Tension émetteur-base maximum: 5 V
- Courant collecteur continu maximum: 8 A
- Dissipation de puissance maximum: 80 W
- Gain de courant (hfe): 55 à 160
- Fréquence de transition minimum: 12 MHz
- Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
- Boîtier: TO-3P


