Sous-total : 150.00 د.ج
Description
Le IRFD9110 est un transistor MOSFET P‑Channel à enrichissement, destiné à des applications à courant faible et tension modérée. Il est logé dans un boîtier HVMDIP à 4 pattes (empilable), compatible insertion automatique, idéal pour les prototypes ou circuits simples mouser.com+1DigiKey+1.
⚙️ Caractéristiques principales
Tension drain-source (V_DS) : –100 V
Courant continu Id à 25 °C : –0,70 A ; à 100 °C : –0,49 A
R_DS(on) : 1,2 Ω à V_GS = –10 V (typique à –420 mA)
Capacité de grille Q_g : ~8,7 nC à V_GS = –10 V ; Q_gs ≈ 2,2 nC ; Q_gd ≈ 4,1 nC
Capacité d’entrée C_iss : ~200 pF @ V_DS = 25 V
Courant de seuil V_GS(th) : ~–4 V @ I_D = –250 µA
Dissipation de puissance : ~1,3 W en conditions ambiantes (montage PCB standard)
Plage de température : –55 °C à +175 °C (jonction)
🧩 Boîtier & brochage
Boîtier : HVMDIP‑4 (High Voltage Machine‑Insertable DIP)
Dual drain large pour meilleure dissipation thermique ; empilable sur pins 0,1″ (2,54 mm)
Brochage :
Gate, Source, Drain selon référence du datasheet.
📌 Avantages & points d’usage
Pilotage faible en courant (peu de charge de grille) adapté commandes logiques
Tension de blocage élevée (100 V) pour applications médium-power
Bonnes performances en commutation rapide (60–80 ns typiques)
Robustesse avalanche répétitive — adapté à certaines applications à commutation inductive accidentelle
Bonne stabilité thermique (opération jusqu’à 175 °C)
Format simple à insérer sur breadboard ou PCB via DIP standard
📋 Applications typiques
Régulateurs linéaires (source de tension négative), alimentation symétrique
Pilote de relais à courant faible
Circuits de protection USB ou interface CC/CV négative
Compensation dans alimentations à découpage
Beepers/pièces de test ou prototypes utilisant configuration DIP
📊 Tableau récapitulatif
| Attribut | Valeur typique |
|---|---|
| V_DS max | –100 V |
| I_D continuo | –0,70 A (Ta=25 °C), –0,49 A (Ta=100 °C) |
| R_DS(on) | 1,2 Ω @ V_GS = –10 V, I_D ≈ –420 mA |
| Seuil V_GS(th) | ~–4 V @ –250 µA |
| Q_g | 8,7 nC (total), Q_gs ≈2,2 nC, Q_gd ≈4,1 nC |
| C_iss | ~200 pF @ 25 V |
| Dissipation max | ~1,3 W |
| Température jonction | –55 °C à +175 °C |
| Boîtier | HVMDIP‑4 (through-hole |


