IRFP250N – 200 V, 30A, N-Channel MOSFET
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IRFP250N – 200 V, 30A, N-Channel MOSFET

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    Description

    • Package/Boîte:     TO-247-3   
    • Nombre de canaux:     1 Channel     
    • Polarité du transistor:    N -Channel  
    • Vds – Tension de rupture drain-source:     200 V     
    • Id – Courant continu de fuite:    30 A  
    • Rds On – Résistance drain-source:    0,075 ohm    
    • Vgs – Tension grille-source:     20 V     
    • Plage de température de fonctionnement:   -55° – 175°C 
    • Pd – Dissipation d’énergie:     214 W     
    • Qg – Charge de porte:    123 nC  

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