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Description
- Catégorie du produit: Transistors bipolaires – BJT
- RoHS: N
- Style de montage: Through Hole
- Package/Boîte: TO-225-3
- Polarité du transistor: NPN
- Configuration: Single
- Collecteur – Tension de l’émetteur VCEO max.: 400 V
- Collecteur – Tension de base VCBO: 100 V
- Émetteur – Tension de base VEBO: 5 V
- Tension de saturation collecteur-émetteur : 500 mV
- Courant CC max. du collecteur: 1.5 A
- Pd – Dissipation d’énergie : 1.75 W
- Produit gain-bande passante fT : 3 MHz
- Température de fonctionnement min.: – 65 C
- Température de fonctionnement max.: + 150 C
- Courant de collecteur continu : 1.5 A
- Collecteur de courant continu/Gain hfe min de base: 8
- Hauteur: 11.04 mm
- Longueur: 7.74 mm
- Type de produit: BJTs – Bipolar Transistors
- Sous-catégorie: Transistors
- Technologie: Si
- Largeur: 2.66 mm
