NCE2060K – MOSFET Canal N

Caractéristiques :

• Courant Drain-Source Continu (Id) : Jusqu’à 60A à 25°C.
• Tension Drain-Source Maximale (Vds) : 60V.
• Type de Boîtier : TO-252.

Avantages :

• Capacité élevée pour supporter des courants importants.
• Faible perte de puissance grâce à une faible résistance Rds(on).
• Conception compacte et robuste.

Applications :

• Alimentations à découpage.
• Onduleurs.
• Applications industrielles nécessitant une puissance élevée.