Sous-total : 65.00 د.ج
2N3906 Transistors bipolaires , TO-92, 40V, 200mA, PNP
2N3906 Transistors bipolaires – BJT Bipolar Transistor, TO-92, 40V, 200mA, PNP
30.00 د.ج2N4401 Transistors bipolaires , TO-92, 40V, 600mA, NPN
2N4401 Transistors bipolaires – BJT Bipolar Transistor, TO-92, 40V, 600mA, NPN
35.00 د.ج2N4403 Transistors bipolaires , TO-92, 40V, 600mA, PNP
Transistors bipolaires – BJT Bipolar Transistor, TO-92, 40V, 600mA, PNP
30.00 د.ج2N5401 Transistors bipolaires , TO-92, 150V, 600mA, PNP
Transistors bipolaires – BJT Bipolar Transistor, TO-92, 150V, 600mA, PNP
30.00 د.ج2N5551 Transistors bipolaires , TO-92, 160V, 600mA, NPN
2N5551 Transistors bipolaires – BJT Bipolar Transistor, TO-92, 160V, 600mA, NPN30.00 د.ج2SC3998 Transistor bipolaire – NPN –
Transistor: NPN; bipolaire; 1,5kV; 25A; 250W; SOT93
350.00 د.ج2SC3998 Transistor bipolaire – NPN –
350.00 د.ج2SK3561 – 500V, 8A, N-Channel MOSFET
Le 2SK3561 est un MOSFET à canal N (Metal-Oxyde-Semiconductor Field-Effect Transistor). Les MOSFET sont utilisés comme commutateurs électroniques et résistances commandées en tension dans une variété d’applications, y compris les alimentations, les commandes de moteur et les amplificateurs de puissance à découpage.
Le 2SK3561 est conçu pour les applications de commutation haute puissance et haute fréquence, où sa vitesse de commutation rapide et sa faible résistance à l’état passant le rendent bien adapté aux systèmes de conversion de puissance à haut rendement.
190.00 د.ج2SK3561 – 500V, 8A, N-Channel MOSFET
190.00 د.ج2SK3569 – 600V, 10A, N-Channel MOSFET
Le K3569 est un MOSFET canal N disponible en boîtier TO-220F. Le transistor présente de nombreuses fonctionnalités telles qu’un faible RDS (ON), un mode d’amélioration, un faible courant de fuite, etc. est de 40 A, le RDS max (ON) est de 0,75 Ohms, la capacité de sortie est de 180 pF et la dissipation de puissance de drain maximale est de 45 W.
170.00 د.ج2SK3569 – 600V, 10A, N-Channel MOSFET
170.00 د.ج
