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G80N60– 600V, 80A, IGBT, Transistor (G80N60UFD)
- ULTRAFAST IGBT
- COMMUTATION À GRANDE VITESSE
- TENSION DE SATURATION FAIBLE: VCE (SAT) = 2,1 V
- IC = 40 A IMPÉDANCE D’ENTRÉE ÉLEVÉE CO-PAK,
- IGBT AVEC FRD: TRR = 50NS (TYP.)
600.00 د.ج
IR2104 Driver MOSFET/IGBT ±600 V (DIP‑8) – Pilote demi‑pont haute‑tension
IR2104 est un driver demi‑pont MOSFET/IGBT boîtier DIP‑8, compatible logique 3.3–15 V, fonctionnement jusqu’à 600 V, sortie 360 mA, protection UVLO, immunité dV/dt, temps mort interne.
270.00 د.ج
