Le YGW60N65F1 est un transistor IGBT Trench Field Stop haute performance conçu pour les applications de conversion d’énergie. Avec une tension maximale de 650 V, un courant de 60 A et un boîtier TO-247, il offre une excellente efficacité énergétique, une faible tension de saturation et une grande fiabilité pour les systèmes industriels.

20N60 est un MOSFET de puissance en mode d’amélioration du canal N utilisant la technologie avancée d’UTC pour fournir aux clients la bande planaire et la technologie DMOS. Cette technologie est spécialisée pour permettre une résistance minimale à l’état passant et des performances de commutation supérieures. Il peut également supporter des impulsions à haute énergie en mode avalanche et commutation.

2N2907A Transistors bipolaires – BJT Bipolar Transistor, TO-92, 60V, 600mA, PNP

2N4401 Transistors bipolaires – BJT Bipolar Transistor, TO-92, 40V, 600mA, NPN

Transistors bipolaires – BJT Bipolar Transistor, TO-92, 40V, 600mA, PNP

Transistors bipolaires – BJT Bipolar Transistor, TO-92, 150V, 600mA, PNP