IRFP460N – 500 V, 20A, N-Channel MOSFET

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Description

  • Package/Boîte:     TO-247-3   
  • Nombre de canaux:     1 Channel     
  • Polarité du transistor:    N -Channel  
  • Vds – Tension de rupture drain-source:     500 V     
  • Id – Courant continu de fuite:    20 A  
  • Rds On – Résistance drain-source:     0.24 ohm
  • Vgs – Tension grille-source:     30 V     
  • Plage de température de fonctionnement:   -55° – 175°C 
  • Pd – Dissipation d’énergie:     280 W     
  • Qg – Charge de porte:    124 nC  

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IRFP460N – 500 V, 20A, N-Channel MOSFET

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