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G80N60– 600V, 80A, IGBT, Transistor (G80N60UFD)
- ULTRAFAST IGBT
- COMMUTATION À GRANDE VITESSE
- TENSION DE SATURATION FAIBLE: VCE (SAT) = 2,1 V
- IC = 40 A IMPÉDANCE D’ENTRÉE ÉLEVÉE CO-PAK,
- IGBT AVEC FRD: TRR = 50NS (TYP.)
600.00 د.ج- 180.00 د.ج
STP110N8F6 – 80 V, 110 A, N-Channel MOSFET
180.00 د.ج - 140.00 د.ج
IRFZ44N – MOSFET N-CHANNEL 49A 55V TO-220
140.00 د.ج
